高溫電爐生產多晶矽的核心設備，其采用鍾罩式反（fǎn）應器（qì）高溫電爐，將混合後的SiHCl3和H2從反應器底部的眾多（duō）噴口噴入，SiHCl3和H2反應，非均向成核生成多晶矽沉積在矽芯表麵，逐（zhú）漸長大成矽棒，生長過程中矽棒表麵溫度1050~1100C。在非均向成核（hé）進行的同時，SiHCl3和H2也發生均向成核反應生成無定型矽粉，反應的程度（dù）主要取決（jué）於（yú）溫（wēn）度、配比等方麵的因素。為避免均（jun1）向成核產生大量的（de）矽粉，流體采用混流，即噴嘴引入冷物流持續噴向高溫的矽棒表麵，避免局部溫度過（guò）高引發（fā）爆米花和大量矽粉的產生，這種模式（shì）也決（jué）定了還原爐噴口直噴、氣（qì）流底進底出的現有模式。也正因為此，高（gāo）溫進料（進料溫度（dù）高會引起大量矽粉）及（jí）平推式反應模型（比如噴（pēn）口（kǒu）完全側噴、氣流底進頂出）都是會失敗的。

  高溫電爐流體力學模擬是個複雜的計算過程，小編（biān）為了簡化說明問（wèn）題，把複雜的計（jì）算和抽象的模擬舍棄，僅以幾個氣體射流基（jī）本公式來推理噴口流速的合理（lǐ）取值。

  氣體射流是流體力學基本的（de）模型（xíng），當氣體從孔口或管嘴（zuǐ）以一定的流速噴出後，由於射流為紊流流態，紊流的（de）橫向脈動（dòng）造成射流（liú）與周圍氣體發生動（dòng）量交換，從而把相鄰的靜止流（liú）體卷吸到射流中來，兩者一起向前運動，於是射流的過流斷麵沿程不斷擴大，流量不斷增加。